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三菱电机将把同样系列的新型高压igbt模块带到pcim中国展览会上。w2-p209)，为不同领域的客户提供相应的应用解决方案。

Hvigbt模块已广泛应用于轨道牵引、大功率工业驱动等大功率领域。这些高功率应用要求hvigbt模块具有出色的性能，尤其是低损耗、大额定电流和宽工作结温范围。同时，要求模块具有良好的开关控制特性，以减少电磁干扰(emi)。基于这些要求，三菱电气开发了一系列新型hvigbt模块，以满足不同应用的需求。

三菱电机(上海)有限公司半导体事业部总监谷口冯聪先生表示:“三菱电机在开发hvigbt模块方面积累了多年的经验，此次展示的产品能够满足客户高性能、高可靠性、低损耗的要求。”

1700v n系列hvigbt模块采用载流子存储沟槽栅双极晶体管(cstbttm)功率硅芯片，在饱和压降(vce(sat))和关断损耗(eoff)之间取得了较好的折衷，有效降低了模块的功率损耗。二极管硅片的软反向恢复特性可以很好地抑制二极管的振荡。由于衬底材料是铝，模块的可靠性大大提高。

3300v r系列高压igbt模块采用fp-lpt-hvigbt硅片和软恢复高压二极管硅片相结合。在不牺牲模块短路鲁棒性的情况下，新模块的饱和压降和关断损耗的折衷特性提高了25%。新二极管的使用降低了反向恢复电流，从而降低了传导损耗，软反向恢复特性保持了现有二极管设计的短路鲁棒性，并具有良好的电磁干扰性能。新的硅片技术大大降低了模块的功率损耗，提高了模块的额定电流，最大额定电流高达1500安..实验表明，通过调节开关门的电阻值，可以在相对较大的范围内控制模块的开关特性。模块的最高工作结温可达150℃，最低存储温度可低至-55℃..

6500v hvigbt模块的绝缘耐受电压高达10.2v(1分钟交流均方根值)。由于衬底材料是铝，模块的可靠性大大提高。有三种包装，小号、中号和大号。6500v hvigbt模块的igbt硅片具有漏电流小、功率损耗低、安全工作面积大(soa)的特点，其二极管硅片具有软反向恢复、低功率损耗、安全工作面积大(soa)的特点。因此，模块的总功率损耗低并且可靠性高。

三菱电机(上海)有限公司简介

三菱电机成立于1921年，是世界著名的综合性企业集团。在最新的财富500强排名中排名第210位。

作为一家科技型企业，三菱电气拥有多项领先技术，在全球电力设备、通信设备、工业自动化、电子元件、家用电器等市场占据重要地位。

三菱电机(上海)有限公司将弘扬中国人民的智慧，创造机电新时代作为自己的职责和使命。凭借卓越的技术和创造力为工业发展做出贡献，促进社会繁荣。

三菱电机的半导体产品包括三菱功率模块(igbt、ipm、dipipmtm、hvigbt、mosfet等)。)，三菱微波/射频及高频光学器件、光学模块等产品，其中三菱电源模块可帮助您满足电机控制、电源和白色家电应用中的变频、节能和环保要求；三菱系列光学器件和光学模块将在模拟/数字通信和有线/无线通信等各种应用中为您提供解决方案。