导  读：

美国硅谷一家公司宣布开发出一种新技术，并计划利用它来制造比闪存容量更大、读写速度更快的新型存储器。

这家名为“统一半导体”的公司发布新闻公报说，新型存储器的单位存储密度有望达到现有nand型闪存芯片的4倍，存储数据的速度有可能达到后者的5倍到10倍。

nand型闪存因为存储容量大等特点，目前在数码产品中应用比较广泛。但也有一些专家认为，nand型闪存未来可能遭遇物理极限，容量将无法再进一步提高。“统一半导体”表示，其制造的新型存储器旨在充当闪存的替代品和“接班人”。

该公司介绍说，新技术主要基于带电离子在特定材料之间的运动来实现信息的存储，其存储单元不像闪存需要采用晶体管，因此在存储密度等方面比闪存更有优势。

“统一半导体”是一家创业公司，2002年创立至今共获得约7500万美元风险投资。它计划于2010年下半年试生产容量达64g的新型存储器，并打算2011年第二季度将其投入量产。

一些业内人士认为，新产品能否在价格上真正具有竞争力，将是“统一半导体”需要面对的考验之一。此前也有公司尝试推出nand型闪存的替代产品，但都未能解决成本过高的问题。