cuzro2cupt结构rram装置的伏安曲线

由中国科学院微电子研究所研究员刘明领导的下一代非易失性半导体存储器研究小组，最近在电阻随机存取存储器领域取得了进展，并在最新一期的《电子器件通讯》上发表了题为“CudopedZrO 2中的非极性非易失性半导体存储器”的研究论文。这是该研究小组在去年发表了两篇关于掺杂二元氧化物的电阻效应的文章后在该领域取得的又一最新进展。 在电阻式随机存取存储器(rram)的研究中，刘明带领的研究团队重点研究了材料成分简单、cmos兼容制造工艺的二元金属氧化物，并创新性地研究了掺杂二元金属氧化物的电阻转变特性。实验结果表明，在二元金属氧化物中掺杂可以有效提高器件的成品率，这使得掺杂的二元金属氧化物材料具有很大的rram应用潜力。最近，基于对cu/zro2:cu/pt材料结构的深入研究，课题组率先在国内制备了8×8 64位电阻随机存取存储器交叉阵列，成功制备的存储器阵列最高存储密度达到277.78mb/cm2。