据说这种技术也是基于硅的，它与工业标准互补金属氧化物半导体晶体管(cmos)生产技术兼容，为未来制造cmos/分子混合器件电路铺平了道路，这将是继coms之后不久出现的全分子技术的基础或前身。 nist研究小组首次发现，他们可以利用新技术在工业cmos制造中的普通硅片上组装高质量的有机分子单层。通过外延光谱分析，研究人员证实了他们的研究结果。 随后，研究人员利用同样的技术开发了一种简单但功能强大的分子电子器件——电阻器。它们用碳原子链形成单层结构，每个碳原子链的端点与硫原子相连。他们将原子链放入硅衬底上一个100纳米深的小孔中，然后用一层金属银密封井口，同时在孔的上端形成顶部电接触。他们说金属银不会取代由碳原子链组成的单层结构，也不会妨碍单层结构的正常功能。 据报道，研究人员已经开发出两种分子电子器件，每一种都有不同长度的碳原子链。不出所料，这两种器件在测试中都成功地展示了电阻的作用，碳链越长的器件电阻越大。研究人员还证明，他们展示了非线性电阻的性能。 研究人员表示，他们的下一个目标是制造一种cmos/分子混合电路，以证明分子电子元件可以与当今的微电子技术相协调。