半导体激光器的小型化和集成化是未来的一个重要发展方向。半导体电泵浦微腔激光器因其体积小、功耗低、可实现单片全光集成电路以及满足光计算和光通信，特别是超大规模光子电路的要求而越来越受到人们的关注。“半导体电泵浦集成微腔激光器”的研发在ingaas/ingaasp/inp和ingaas/gaasp/gaas系列材料的湿法刻蚀工艺以及微尺寸器件图形转移和高精度套印方法上取得了突破。它不仅通过集成条形波导初步实现了wgm模式微腔激光器中激光的定向导出，而且首次采用了多量子阱微腔激光器与输出直波导集成的新结构，发展了808nm、980nm和1。激光器的微柱或微环的最小直径为20毫米，条形波导的最小宽度为5毫米。可以观察到强波导输出。它将具有极其重要的经济价值和社会效益。高功率光纤激光器是近年来激光领域的热点之一。由于其优良的光束质量、稳定性和紧凑的尺寸，可用于工业加工、医疗、通信、军事、信息存储、激光打印、监控、激光光谱学等领域。在“高功率光纤激光器”的研究中，解决了光纤端面解理、抛光和大芯光纤连接等关键技术，提出了一种化学刻蚀和相位掩模法相结合的新方法，在双包层光纤上制备反射波长为1080纳米的光纤光栅，以光纤光栅为反射腔镜的全光纤结构实现了7.5瓦的连续输出，输出中心波长为1080.7纳米，峰值半宽为0.11纳米，斜率效率为62.6%，近衍射单横模输出。光纤激光器是一种清洁能源，更加环保。进一步的工程研究可以满足我国的迫切需要，具有广阔的市场前景。高功率垂直腔面发射激光器具有光束质量好、二维集成和腔内倍频等优点。在“提高980纳米垂直腔面发射激光器的输出功率”的研究项目中，提出了利用两层N面电极技术提高垂直腔面发射激光器的光束质量，并将远场发散角从30度减小到15度(这种方法在国内外学术期刊中未见报道)；我国首次研制出500毫米大直径高功率vcsel器件，连续光功率输出达到2.0瓦；研制了一种高功率密度的vcsel器件，直径为200毫米，峰值光功率为10.0瓦，10纳秒/100赫兹时光功率密度为33.4千瓦/平方厘米。它将广泛应用于激光显示、生物分析、高密度光存储、水下通信、激光阅读、印刷等行业。