碳化硅晶圆技术突破4寸晶圆
碳化硅是通过在2400摄氏度或更高的温度下对材料进行再结晶来制备的。由于质量控制困难,目前只能生产直径为2-3英寸的碳化硅晶片,主要用于科学研究。
据新日铁称,其在温度控制方面的技术突破使得生产4英寸碳化硅晶片成为可能,这种晶片可用于实际的半导体生产线。
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