最近，vishay宣布了第四代600v e系列功率mosfet的第一个器件——Sihp 065n 60E。vishay siliconix n沟道sihp065n60e的导通电阻比上一代600v e系列mosfet低30%，为通信、工业和企业电源提供了高效解决方案。该器件具有业界最低的品质因数，是600v mosfet在功率转换应用中的关键指标。

“我们承诺为客户提供各种mosfet技术，以支持所有功率转换过程，涵盖所有需要从高压输入到低压输出的最新电子系统，”vishay市场开发部高级总监david grey说，“有了sihp065n60e和即将推出的第四代600v e系列产品，我们可以在设计电源系统架构的早期阶段实现提高效率和功率密度的目标，包括功率因数校正和后续的高压DC。

sihp065n60e采用vishay最新的高效e系列超级结技术制造。10v时的最大导通电阻为0.065ω，栅极电荷低至49nc。该器件的fom为2.8ω* NC，比同类最接近的mosfet低25%。sihp065n60e的有效输出电容co(er)和co(tr)分别只有93pf和593pf，可以提高开关性能。在通信、工业和企业电力系统的功率因数校正和硬开关dc/dc转换器拓扑中，这些性能参数意味着更低的传导和开关损耗。<。