最近，英飞凌科技有限公司针对当前和未来准谐振反激拓扑的发展趋势，开发了全新的700v coolmostm p7系列产品。与目前使用的超级结技术相比，这些新型mosfet实现了前所未有的性能提升。智能手机、平板电脑充电器和笔记本电脑适配器等软开关拓扑可以受益于这一优势。

此外，新款coolmos tm支持电视适配器、照明、音频和辅助电源的快速切换和高功率密度设计。这条新产品线在外形上进行了改进，以支持超薄设计。

与竞争对手的产品相比，新款700V Coolmas P7可将开关损耗降低27%-50%。在反激式充电器的应用中，该工艺可提高效率3.9%。此外，器件温度最高可降低16k。与以前的650 vc6相比，新工艺可提高效率2.4%，降低器件温度12 K..

内置齐纳二极管确保esd保护性能提升至hbm级。客户可以从提高的装配产量中受益，这有助于减少与生产相关的故障，并最终节省制造成本。此外，由于其低rds(开)*qg和rds(开)*eoss，700vcoolmostmp7具有低损耗的特性。与c6工艺和一些竞争对手的器件相比，该新产品系列的阻断电压提高了50v

700v coolmos tm p7在开发过程中始终坚持易用的设计理念，vgsth为3 v，波动范围仅为0.5 v..这使得新的p7产品系列易于整合到设计中，并且可以使用更低的栅极-源极电压，从而更容易驱动和降低空负载损耗。特别是在价格敏感的市场领域，新款700v coolmos tm p7具有诱人的性价比，有助于客户获得更多竞争优势。<。