导  读：

美国ibm和东芝宣布，已就联合开发32nm bulk cmos工艺达成协议。

两公司从2005年12月起，一直在位于美国纽约州约克城（yorktown）和奥尔巴尼（albany）的研究设施内，共同推进32nm以后的半导体工艺基础研究。根据此次的协议，两公司将以此前的基础研究成果为基础，把联合开发对象拓展至32nm bulk cmos工艺上。

根据协议，东芝将加入目前ibm及其合作企业共6家公司设在美国纽约州east fishkill的、32nm bulk cmos工艺联合开发联盟中。

东芝的齐藤升三（高级常务执行董事半导体公司社长）表示，“东芝继与ibm的联合进行基础研究之后，还将作为全球主要soc厂商成立的联合开发小组成员，推进32nm bulk cmos工艺的开发。同时，将加速东芝advanced micro-electronics center推进的32nm量产工艺开发，目标是早日实现最尖端元件的量产”。